FQD11P06TF
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FQD11P06TF |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 4.7A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.4A (Tc) |
Grundproduktnummer | FQD1 |
FQD11P06TF Einzelheiten PDF [English] | FQD11P06TF PDF - EN.pdf |
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![]() FQD11P06TFonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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